基礎407

R4.07-1A11 A穴埋め
R3.07-2A10 A穴埋め
R2.11-1A11 A穴埋め
H31.01-1A11 A穴埋め
R4.01-1A11 A穴埋め
R3.01-2A11 ✕選択

解答

R4.07-1A11 A穴埋め

5 エンハンスメント   Ⅱ   増加

ワンポイント解説
 Nチャネル   エンハンスメント   図選択はPが中心の図   増加

 FETのニュースチャンネル(Nチャネル)では、
  円半分(エンハンスメント)のパート(Part)が中心増加するでモス。(MOS

R3.07-2A10 A穴埋め

5 Nチャネル   Ⅰ   増加

R2.11-1A11 A穴埋め

3 N   Ⅱ   増加

H31.01-1A11 A穴埋め

4 N   Ⅱ   増加

R4.01-1A11 A穴埋め

1 N   MOS(絶縁ゲート)   ア

ワンポイント解説
 Nチャネル   エンハンスメント   図選択はPが中心の図   増加

 FETのニュースチャンネル(Nチャネル)では、
  円半分(エンハンスメント)のパート(Part)が中心増加するでモス。(MOS

R3.01-2A11 ✕選択

4 特性はデプレション形 エンハンスメント形である。

検索用キーワード

FETの記号と性質 図記号の電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。 Nチャネル絶縁ゲート形FET エンハンスメント形 原理的な構造は 伝達特性の概略図 構造はMOS形である。 チャネルは、Nチャネルである。 特性はデプレション形である。

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