基礎407

R4.07-1A11　A穴埋め

R3.07-2A10　A穴埋め

R2.11-1A11　A穴埋め

H31.01-1A11　A穴埋め

R4.01-1A11　A穴埋め

R3.01-2A11　✕選択

解答

R4.07-1A11　A穴埋め

５　エンハンスメント　　　Ⅱ　　　増加

ワンポイント解説
　Nチャネル　　　エンハンスメント　　　図選択はPが中心の図　　　増加

　ＦＥＴのニュースチャンネル（Ｎチャネル）では、
　　円半分（エンハンスメント）のパート（Part）が中心で増加するでモス。（MOS）

R3.07-2A10　A穴埋め

５　Nチャネル　　　Ⅰ　　　増加

R2.11-1A11　A穴埋め

３　N　　　Ⅱ　　　増加

H31.01-1A11　A穴埋め

４　N　　　Ⅱ　　　増加

R4.01-1A11　A穴埋め

１　N　　　MOS（絶縁ゲート）　　　ア

ワンポイント解説
　Nチャネル　　　エンハンスメント　　　図選択はPが中心の図　　　増加

　ＦＥＴのニュースチャンネル（Ｎチャネル）では、
　　円半分（エンハンスメント）のパート（Part）が中心で増加するでモス。（MOS）

R3.01-2A11　✕選択

４　特性はデプレション形　エンハンスメント形である。

検索用キーワード

ＦＥＴの記号と性質　図記号の電界効果トランジスタ（FET）について述べたものである。　Nチャネル絶縁ゲート形FET　エンハンスメント形　原理的な構造は　伝達特性の概略図　構造はMOS形である。　チャネルは、Ｎチャネルである。　特性はデプレション形である。