無線工学 ３基礎理論２ 無線工学311
R3.2a-5
次の記述は、半導体及び半導体素子について述べたものである。このうち正しいものを下の番号から選べ。
１ 不純物を含まないSi（シリコン）、Ge（ゲルマニウム）等の単結晶半導体を真性半導体という。
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第一級陸上特殊無線技士
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学 ３基礎理論２ 無線工学313
R4.2a-5
次の記述は、バラクタダイオードについて述べたものである。（ ）内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
バラクタダイオードは、（ Ａ ）バイアスを与え、このバイアス電圧を変化させると、等価的...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学314
R4.2b-5
次の記述は、トンネルダイオードについて述べたものである。（ ）内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。
(1) トンネルダイオードは、不純物の濃度が一般のPN接合ダイオードに比べて（ Ａ ）...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学317(1)
R5.6a-7
図に示す断面を持つ同軸ケーブルの特性インピーダンスZを表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、絶縁体の比誘電率は1とする。また、同軸ケーブルは使用波長に比べ十分に長く、無限長線路とみなすことができるもの...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学317(2)
R5.6b-7
図に示す断面を持つ同軸ケーブルの特性インピーダンスZを表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、絶縁体の比誘電率は\(ε_s\)とする。また、同軸ケーブルは使用波長に比べ十分に長く、無限長線路とみなすこと...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学318(1)
R6.10a-7
次の図は、フィルタの周波数対減衰量の特性の概略を示したものである。このうち低域フィルタ(LPF)の特性の概略図として、正しいものを下の番号から選べ。
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解答
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無線工学 ３基礎理論２ 無線工学318(2)
R6.10b-7
次の図は、フィルタの周波数対減衰量の特性の概略を示したものである。このうち帯域フィルタ（BPF）の特性の概略図として、正しいものを下の番号から選べ。
解答へ
解答
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無線工学 ３基礎理論２ 無線工学320(1)
31.2b-7
図に示すように、起電力\(E\)が\(100〔V〕\)で内部抵抗が\(r\)の交流電源に、負荷抵抗\(R_L\)を接続したとき、\(R_L\)で消費される電力の最大値（有能電力）が\(50〔W〕\)であった。このと...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学320(2)
R7.2b-6（R7.2a-6）
図に示すように、内部抵抗rが20〔Ω〕の交流電源に、負荷抵抗\(R_L\)を接続したとき、\(R_L\)から取り出しうる電力の最大値(有能電力)として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、交流電...
無線工学 ３基礎理論２ 無線工学321
R5.6b-6（R5.6a-6）
図に示すπ形抵抗減衰器の減衰量\(L\)の値として、最も近いものを下の番号から選べ。ただし、減衰量\(L\)は、減衰器の入力電力を\(P_1\)、入力電圧を\(V_1\)、出力電力を\(P_2\)...