無線工学 3基礎理論2 無線工学304(2) R6.2a-5 次の記述は、図に示す原理的な構造の電子管について述べたものである。( )内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) 名称は、( A )である。 (2) 高周波電界と電... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学305(1) R4.6a-6 次の記述は、図に示すマジックTについて述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電磁波はTE10モードとする。 1 TE10波を④(H分岐)から入力すると、①と②(側分岐)... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学306(1) 31.2b-6 次の記述は、図に示すT形分岐回路について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電磁波はTE10モードとする。 1 図1に示すT形分岐回路は、分岐導波管が主導波管の磁界H... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学306(2) R4.6b-6 次の記述は、図に示すT形分岐回路について述べたものである。このうち誤っているものを下の番号から選べ。ただし、電磁波はTE10モードとする。 1 図1に示すT形分岐回路は、E面分岐又は直列分岐ともいう... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学310(1) R4.10b-5 次の記述は、半導体素子の一般的な働き又は用途について述べたものである。( )内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) バラクタダイオードは、( A )として用いられる。 ... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学311 R3.2a-5 次の記述は、半導体及び半導体素子について述べたものである。このうち正しいものを下の番号から選べ。 1 不純物を含まないSi(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)等の単結晶半導体を真性半導体という。 ... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学313 R4.2a-5 次の記述は、バラクタダイオードについて述べたものである。( )内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 バラクタダイオードは、( A )バイアスを与え、このバイアス電圧を変化させると、等価的... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学314 R4.2b-5 次の記述は、トンネルダイオードについて述べたものである。( )内に入れるべき字句の正しい組合せを下の番号から選べ。 (1) トンネルダイオードは、不純物の濃度が一般のPN接合ダイオードに比べて( A )... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学317(1) R5.6a-7 図に示す断面を持つ同軸ケーブルの特性インピーダンスZを表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、絶縁体の比誘電率は1とする。また、同軸ケーブルは使用波長に比べ十分に長く、無限長線路とみなすことができるもの... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2
無線工学 3基礎理論2 無線工学317(2) R5.6b-7 図に示す断面を持つ同軸ケーブルの特性インピーダンスZを表す式として、正しいものを下の番号から選べ。ただし、絶縁体の比誘電率は\(ε_s\)とする。また、同軸ケーブルは使用波長に比べ十分に長く、無限長線路とみなすこと... 2023.03.01 無線工学 3基礎理論2