R6.01-1A12
R4.07-1A11 A穴埋め
R3.07-2A10 A穴埋め
R2.11-1A11 A穴埋め
H31.01-1A11 A穴埋め
R4.01-1A11 A穴埋め
R3.01-2A11 ✕選択
解答
R6.01-1A12
４ エンハンスメント Ⅱ 増加
ワンポイント解説
Nチャネル エンハンスメント 図選択はPが中心の図 増加
ＦＥＴのニュースチャンネル（Ｎチャネル）では、
円半分（エンハンスメント）のパート（Part）が中心で増加するでモス。（MOS）
R4.07-1A11 A穴埋め
５ エンハンスメント Ⅱ 増加
R3.07-2A10 A穴埋め
５ Nチャネル Ⅰ 増加
R2.11-1A11 A穴埋め
３ N Ⅱ 増加
H31.01-1A11 A穴埋め
４ N Ⅱ 増加
R4.01-1A11 A穴埋め
１ N MOS（絶縁ゲート） ア
ワンポイント解説
Nチャネル エンハンスメント 図選択はPが中心の図 増加
ＦＥＴのニュースチャンネル（Ｎチャネル）では、
円半分（エンハンスメント）のパート（Part）が中心で増加するでモス。（MOS）
R3.01-2A11 ✕選択
４ 特性はデプレション形 エンハンスメント形である。
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図１に示す図記号の電界効果トランジスタ（FET）
図に示す図記号の電界効果トランジスタ（FET）
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