R5.07-2A12
R4.07-1A12
R3.01-1A9 ✕選択
H31.01-1A10 ✕選択
R5.07-1A12
R4.01-2A12
R2.11-2A12
R5.01-2A11 A穴埋め
R2.01-1A12 A穴埋め
R4.01-1A12
R3.07-1B3
解答
R5.07-2A12
２ 進行波管は、界磁コイル内に置かれた空洞共振器 回路（ら旋遅延回路）の作用を利用し、雑音の少ない狭帯域 広帯域の増幅が可能である。
ワンポイント解説
進行波管は、界磁コイル内に置かれた回路（ら旋遅延回路）の作用を利用し、広帯域の増幅が可能である。
進行波管は、ら旋形の広いやつ。
R4.07-1A12
５ ガンダイオードは、ガリウム・ひ素（GaAs）などの金属化合物結晶に強い交流磁界 直流磁界を加えたときに生じるガン効果を利用して発振し、マイクロ波を利用したセンサなどに用いられる。
ワンポイント解説
渡り鳥のガン（ダイオード）は直流磁界を飛ぶ。
R3.01-1A9 ✕選択
５ 進行波管は、界磁コイル内に置かれた空洞共振器 回路（ら旋遅延回路）の作用を利用し、広帯域の増幅作用が可能である。
H31.01-1A10 ✕選択
５ 進行波管は、界磁コイル内に置かれた空洞共振器 回路（ら旋遅延回路）の作用を利用し、広帯域の増幅作用が可能である。
R5.07-1A12
３ 走行時間効果 順方向電圧 ら旋遅延回路
ワンポイント解説
インパットはインパクトのある走行する
トンネルは順方向
進行波管は、ら旋形の広いやつ。
R4.01-2A12
１ 走行時間効果 順方向電圧 ら旋遅延回路
R2.11-2A12
５ 走行時間効果 順方向電圧 ら旋遅延回路
R5.01-2A11 A穴埋め
２ 直角方向の磁界 ら旋遅延回路 静電容量
ワンポイント解説
マグネトロンの電界と磁界は直角
進行波管は、ら旋形の広いやつ。
バラクタダイオード：逆電圧の変化に対して、静電容量が変化する
バラ食った（バラクタ）ら逆電圧が発生して静電気（静電容量）が起きた
R2.01-1A12 A穴埋め
４ 直角方向の磁界 ら旋遅延回路 静電容量
R4.01-1A12
３ 直角方向の磁界 強い直流電界 静電容量
R3.07-1B3
ア 1
イ 1
ウ 2：進行波管は、界磁コイル内に置かれた空洞共振器 ら旋遅延回路の作用を利用し、雑音の少ない狭帯域 広帯域の増幅が可能である。
エ 1
オ 2：バラクタダイオードは、PN接合に順方向 逆方向電圧を加えたときのPN接合の静電容量を利用し、周波数逓倍などに用いられる。
検索用キーワード
マイクロ波素子 マイクロ波帯やミリ波帯の回路に用いられる電子管及び半導体素子について
マグネトロンは、電界の作用と磁界の作用を利用して発振する二極真空管である。 マイクロ波を発信し、他の素子や電子管と比べて大きな発振出力が得られるので、レーダーや電子レンジなどに用いられる。
進行波管は、界磁コイル内に置かれた空洞共振器の作用を利用し、雑音の少ない狭帯域の増幅が可能である。 らせん遅延回路を利用し 多重通信や衛星通信などに用いられる。
インパットダイオードは、PN接合のなだれ現象とキャリアの走行時間効果による負性抵抗特性を利用し発振する。 直接ミリ波帯の周波数の発振が可能である。
ガンダイオードは、GaAs（ガリウムヒ素）半導体などに強い直流電界を加えたときに生ずるガン効果により発振する。 ガリウム・ひ素 金属化合物結晶 センサ
トンネルダイオードは、PN接合に順方向電圧を加えたときの負性抵抗特性を利用し発振する。
マイクロ波やミリ波帯回路に用いられる半導体素子及び電子管について
バラクタダイオードは、逆方向電圧を加えたときのPN接合の静電容量を利用し、マイクロ波の周波数逓倍などに用いられる。
コメント